全新DDR5 服務(wù)器內(nèi)存可最大限度地提高AI、高性能計算和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用及工作負(fù)載的性能

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隨著 CPU 內(nèi)核數(shù)量不斷增加，改進(jìn)后的內(nèi)存架構(gòu)相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍，進(jìn)而提高效率

JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]

得益于高達(dá) 64GB 的模組容量，能夠支持內(nèi)存密集型工作負(fù)載[4]

DDR5 的創(chuàng)新架構(gòu)改進(jìn)和模組內(nèi)建電源管理功能，有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運(yùn)行性能

內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，面向商業(yè)和工業(yè)渠道合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM，以支持下一代英特爾^?和 AMD^?DDR5 服務(wù)器及工作站平臺的行業(yè)資格認(rèn)證。相比 DDR4 DRAM，DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。[5]美光全新 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存能夠?yàn)槿斯ぶ悄埽ˋI）、高性能計算（HPC）和數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供 DDR4 技術(shù)所不具備的更高 CPU 計算能力與內(nèi)存帶寬，從而最大限度地提升這些應(yīng)用的性能。

美光商用產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理 Teresa Kelley 表示：“隨著數(shù)據(jù)量持續(xù)呈指數(shù)級增長，能否將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為洞察對業(yè)務(wù)成功至關(guān)重要。數(shù)據(jù)中心運(yùn)營者需要借助先進(jìn)的內(nèi)存能力與處理器技術(shù)的進(jìn)步來最大限度地提高平臺性能。美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM 可提供海量帶寬，助力管理最為內(nèi)存密集型的應(yīng)用。美光始終走在 DDR5 內(nèi)存技術(shù)發(fā)展前沿，引領(lǐng)業(yè)界向 DDR5 內(nèi)存技術(shù)過渡，并致力于支持?jǐn)?shù)據(jù)中心客戶和渠道合作伙伴完成服務(wù)器 DDR5 DRAM 資格認(rèn)證及準(zhǔn)備工作。”

作為全球內(nèi)存行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，美光從一開始便與電子元件工業(yè)聯(lián)合會（JEDEC）聯(lián)手確立了 DDR5規(guī)范，并通過美光 DDR5 技術(shù)賦能計劃（Technology Enablement Program，TEP）——業(yè)界唯一的 DDR5 生態(tài)系統(tǒng)賦能計劃面向廣泛的市場領(lǐng)域推廣早期 DDR5 資格認(rèn)證。目前，美光 DDR5 技術(shù)賦能計劃已經(jīng)吸引了來自全球 160 多家企業(yè)的 400 多位成員參與，旨在幫助合作伙伴簡化 DDR5 內(nèi)存設(shè)計并應(yīng)對集成挑戰(zhàn)。所有美光服務(wù)器 DDR5 DRAM 均針對下一代產(chǎn)品系列進(jìn)行了優(yōu)化，并通過了模組和顆粒測試，以達(dá)到關(guān)鍵任務(wù)型服務(wù)器標(biāo)準(zhǔn)。

目前，采用 DDR5 內(nèi)存模塊的服務(wù)器正在數(shù)據(jù)中心環(huán)境中接受評估和測試，預(yù)計將在 2022 年下半年加快采用速度。DDR5 的初始數(shù)據(jù)傳輸速率為 4800MT/s，預(yù)計后續(xù)還將進(jìn)一步提高，以更好地滿足未來數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載的需求。客戶即刻可通過美光全球商業(yè)和工業(yè)渠道合作伙伴獲得美光 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品。

更多中文產(chǎn)品信息請訪問中文網(wǎng)站 www.crucial.cn。

關(guān)于Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）

美光科技是創(chuàng)新內(nèi)存和存儲解決方案的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商，致力于通過改變世界使用信息的方式來豐富全人類生活。憑借對客戶、領(lǐng)先技術(shù)、卓越制造和運(yùn)營的不懈關(guān)注，美光通過 Micron^?和 Crucial^?品牌提供 DRAM、NAND 和 NOR 等多個種類的高性能內(nèi)存以及存儲產(chǎn)品組合。我們通過持續(xù)不斷的創(chuàng)新，賦能數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)發(fā)展，推動人工智能和 5G 應(yīng)用的進(jìn)步，從而為數(shù)據(jù)中心、智能邊緣、客戶端和移動應(yīng)用提升用戶體驗(yàn)帶來更大的機(jī)遇。如需了解 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）的更多信息，請訪問 cn.micron.com。

[1] 4800MT/s DDR5 的帶寬約是 3200MT/s DDR4 模塊的 1.87 倍。

[2] 初始發(fā)布的速率為 4800MT/s，未來預(yù)計可達(dá) 5600MT/s 和 6400MT/s。

[3] 初始發(fā)布的 DDR5 速度達(dá) 4800MT/s，比 DDR4 模塊的 3200MT/s 快 1.5 倍（速度提高 50%）。

[4] 初始發(fā)布的容量使用 16Gb 容量的內(nèi)存顆粒。

[5] 4800MT/s DDR5 的帶寬約是 3200MT/s DDR4 模組的 1.87 倍。

關(guān)鍵詞： 數(shù)據(jù)中心 合作伙伴 美光科技 工作負(fù)載 服務(wù)器內(nèi)存