該公司高壓氮化鎵器件持續(xù)為全功率范圍的應用提供極佳的可靠性

加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日發(fā)布了針對其氮化鎵功率管的最新可靠性評估數(shù)據(jù)。評估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶現(xiàn)場應用中失效的器件數(shù)。迄今為止，基于超過850億小時的現(xiàn)場應用數(shù)據(jù)，該公司全系列產(chǎn)品的平均失效率(FIT)小于0.1?，F(xiàn)有氮化鎵功率解決方案的全功率可靠性評估中，這一失效率是業(yè)界報道過的最好的評估結果之一。

(資料圖片僅供參考)

Transphorm在構建其氮化鎵平臺時考慮了可靠性的要求, 了解寬禁帶技術進入市場時可靠性的重要。盡管氮化鎵比硅管的性能更高，但是，如果器件在實際應用中失效，客戶不會選擇切換到新技術的氮化鎵產(chǎn)品。2019年，Transphorm成為首家發(fā)布用于證實其產(chǎn)品可靠性的完整驗證數(shù)據(jù)的氮化鎵制造商。此后，該公司定期分享其氮化鎵器件可靠性成果，以幫助潛在客戶在選擇半導體供應商時, 能根據(jù)數(shù)據(jù)做出正確的判斷。Transphorm 2022年第一季度發(fā)布的最近一次FIT失效率小于0.3。

今年，為改進客戶評估GaN FET器件，Transphorm邁出了新的一步。該公司將其可靠性數(shù)據(jù)細分成兩類：

低功率：應用在功率級小于500瓦的氮化鎵器件

高功率：應用于功率級大于500瓦的氮化鎵器件

在不同功率級范圍去評估器件性能，Transphorm的氮化鎵功率管表現(xiàn)出與硅基功率器件極為相似的可靠性水平：

低功率：FIT失效率為0.06

高功率：FIT失效率為0.19

Transphorm公司業(yè)務發(fā)展及營銷高級副總裁Philip Zuk表示：“我們的高壓氮化鎵器件為涵蓋全功率級的廣泛應用而設計，目前覆蓋從45瓦到4千瓦的應用，并且，隨著氮化鎵器件切入新的市場，有望用于十千瓦以上領域。這顯示了我們的技術擁有極廣大的應用空間。然而，我們也意識到，僅發(fā)布一個囊括所有應用類型的可靠性評估，可能無法有效地協(xié)助客戶。我們認為有必要為客戶提供更細分的評估數(shù)據(jù)，滿足不同的設計需求。為此，我們就可靠性評估做了低功率與高功率的區(qū)分?！?/p>

跨行業(yè)領導地位

憑藉器件良好的品質(zhì)與可靠性，Transphorm繼續(xù)使該公司成為高壓氮化鎵的領導者。該公司的氮化鎵功率器件已經(jīng)進入各種終端市場，如電源適配器、個人電腦、算力應用領域、數(shù)據(jù)中心、可再生能源和儲能。

詳細了解不同的SuperGaN技術的區(qū)別，請訪問：https://www.transphormchina.com/en/gan-technology/

關于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產(chǎn)權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業(yè)務模式，Transphorm能夠在產(chǎn)品和技術開發(fā)的每一個階段進行創(chuàng)新：設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創(chuàng)新正在使電力電子設備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。如需了解更多信息，請訪問www.transphormchina.com。歡迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關注我們。

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